1.n型半导体是因为载流子是negative的,不能简单的说掺入了施主杂质,因为有些情况下存在本征缺陷也会形成n型半导体.陷阱可以看作能级,但是不一定比施主能级低.比如电子陷阱,那么比施主能级高的就不被离化的施主填充,如果比施主能级低的就首先被施主能级填充,而在其未填满之前不会使得离化的电子首先成为导带的自由电子.陷阱能级往往是材料本身的缺陷引起的,因为杂质引起的通常成为施主或受主能级,虽然有些深能级往往也会俘获载流子.
2.你的思考是对的,不是完全的被电子占据,但是正是因为载流子服从e指数的分布,可以认为在远大于费米能级kT个单位的范围外,能级全部填充或者空余.总之,费米能级是电子填充能级的平均水平.
3.陷阱不要状态密度表示,一般用cm^-2eV^-1来表示,称为陷阱态密度.