一般是这样的,但是在一定的温度范围（对于Si,室温）内则否：
当掺入的施主或者受主杂质完全电离以后,若温度再升高,多数载流子浓度不再随温度而变化,而载流子迁移率μ却随之降低,就使得电导率σ=qnμ减小（n型半导体）；若温度进一步升高到本征激发起作用时,虽然迁移率仍然下降,但本征载流子浓度却很快增加,则导致电导率又增大.