低掺杂半导体：由于所有杂质完全电离,温度升高时多子浓度基本不变.
高掺杂半导体：杂质只有部分电离,温度升高导致未电离的杂质原子电离,多子浓度升高明显.
中等掺杂：介于二者之间.