如果没有填充4s电子,先填充3d电子,那3d就是最外层电子,外面没有其它电子罩着,自由度大,受原子核的束缚弱,因此能量高；
如果填充了4s电子后,再填充3d电子,那3d电子就是内层电子,被4s电子罩着,只能在内部规定的空间活动,受原子核的束缚就强了（离原子核较近）,所以能量就降低了；
而4s电子则外面没有其它电子层罩着,自由度就高,受原子核束缚弱,因此能量偏高了.