因为霍尔电压公式是E等于kBI/d(你知道怎么推导的吗不知道可以追问).霍尔元件和等离子磁流体发电是一个原理的.其中公式的系数k为1/n(n为导体单位横截面积的载流子数).说到这里就能看出当BI一定时不同材料的k与d不同时霍尔电压是不同的.当d做到很薄不能再薄(很厚)时只能通过改变k来提高(降低)霍尔电压.而一般材料的K基本是固定的或随外界因素(温度)改变的,这就是系数变量.而半导体导电是因为能在硅锗中掺杂的不同浓度的物质(具体详见半导体材料).而这种掺杂使得半导体中的载流子浓度能受人为控制(也就是单位横截面积的载流子数能人为控制)从而改变了K.其实这公式些就跟人们发现的电阻率公式类似,起到了对电子元件的微型化的作用…