应该是这样的：

1 对于AB段而言,此时温度较低,温度对于杂质的影响大于对半导体本身的影响.此时半导体中的载流子主要是由杂质电离出的.温度上升时,载流子数量上升,电阻率下降.
2 对于BC段而言,此时,杂质电离完成,即已饱和.但本征激发不显著,载流子影响降低,晶格振动的影响变大,电阻率随温度上升.
3 对C点以后,和本征半导体类似,此时本征激发成为主要因素,故电阻率随温度上升而下降.