二极管有逃逸势E和内电场内建电势Ub.逃逸势E是二极管的固有参数,其大小与材料及掺杂浓度有关.硅二极管逃逸势E大约是0.7V,锗0.2~0.3V.同种材料,掺杂浓度越高,逃逸势E就越大.
导通前平衡,Ub=E,它的两端不显示电压.导通后内电场消失,内建电势Ub=0,故显示正向压降,假如是硅管导通后电压一直是大约0.7V.
太阳能电池其实也是pn结.太阳能电池的pn结在光照作用下内电场变窄,内建电势Ub变小,输出电动势=E-Ub可以就我的提问具体点讲么？二极管导通前它的两端没有电压。有假如是硅管导通后电压一直是0.7V。