反物质储存是指一种储存反物质的技术，其原理是电磁场通过令暗物质远离所谓“彭宁离子阱”(Penning trap)的内壁，可以在里面储存暗物质。据美国宾夕法尼亚州立大学物理学荣誉教授杰拉尔德•史密斯介绍，这一过程仅持续几个月时间，随后反物质会与彭宁离子阱“等候区”的迷失物质粒子相接触，无法产生完美的没有物质的真空。

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